等離子清洗和等離子去膠都是利用等離子體技術(shù)的表面處理技術(shù),它們在原理上有相似之處,但具體應(yīng)用和目的有所不同。前者主要用于表面的清潔和改性,而后者則主要用于去除特定的物質(zhì),如光刻膠。在實(shí)際應(yīng)用中,應(yīng)根據(jù)具體的工藝需求選擇合適的處理技術(shù)。...
2024-03-29根據(jù)耦合方式分類,等離子清洗機(jī)大致可以分為兩種,一種是CCP電容耦合等離子清洗機(jī)另一種是ICP電感耦合等離子清洗機(jī)。這兩種耦合方式各有優(yōu)劣。...
2024-03-28在線式等離子清洗設(shè)備主要針對集成電路IC封裝工藝,自動(dòng)將料盒里的引線框架取出并進(jìn)行等離子清洗,去除材料表面污染,提高表面活性,再自動(dòng)放回料盒,全程無人為干擾。...
2024-03-26等離子清洗機(jī)漏氣可能有以下原因: 氣路部件損壞或老化:長時(shí)間使用后,氣路部件可能出現(xiàn)損壞或老化,導(dǎo)致氣路連接處不緊密,進(jìn)而發(fā)生漏氣現(xiàn)象。...
2024-03-22等離子清洗機(jī)對薄膜材料表面的刻蝕作用和在材料表面引進(jìn)大量極性基團(tuán)這二種因素共同作用使得處理后的薄膜材料表面的粘接性、印刷等性能得到大幅度的提高。...
2024-03-21等離子刻蝕的基本原理是利用所需的等離子體對晶圓表面進(jìn)行物理轟擊并且同時(shí)發(fā)生產(chǎn)生易于揮發(fā)的化學(xué)反應(yīng),從而實(shí)現(xiàn)對晶圓的刻蝕過程。...
2024-03-18氧等離子體處理親水原理可以認(rèn)為是受兩個(gè)因素的雙重影響:(1)氧等離子體對材料表面的蝕刻效應(yīng)造成了材料表面形貌在納米尺度的改變;(2)氧等離子體處理后在材料表面引入了新的基團(tuán),例如-OH、-COOH等親水基團(tuán)。需注意的是通過氧等離子體轟擊進(jìn)行的親水處理一般具有時(shí)效性。...
2024-03-14等離子清洗技術(shù)是一種高效的清洗方法,激發(fā)態(tài)的氫氣與氧化物發(fā)生化學(xué)反應(yīng),將氧化無還原為單質(zhì)和水蒸氣,可以很有效的去處表面氧化物。 ...
2024-03-14在整個(gè)大規(guī)模集成電路制造過程中,近三分之一的工序是借助于等離子體技術(shù)來完成,在大規(guī)模集成電路制造的主要流程中,薄膜沉積、刻蝕、離子注入與清洗等過程都需要等離子體技術(shù)來輔助完成。...
2024-02-23綜述了近年來研究者對材料表面常用的處理方法,主要包括物理法、機(jī)械法以及化學(xué)法的研究進(jìn)展,介紹了表征材料表面結(jié)構(gòu),化學(xué)組成以及表面形貌常用的分析方法。通過對材料表面進(jìn)行處理從而達(dá)到提高粘接性能的目的。...
2024-02-21有研究報(bào)道,通過氧等離子體處理可以獲得溶液法制備的高質(zhì)量的SnO2薄膜。表明具有高能離子態(tài)的氧自由基團(tuán)能夠?qū)Ρ∧ぶ械难跞毕輵B(tài)起到一定填充作用。將這一工藝用于制備ZrO2介電層,可以在對介電薄膜有最小損傷的同時(shí)提高基于ZrO2的TFT的電學(xué)性能。另外,ZrO2具有較高的與氧結(jié)合能,也有利于氧相關(guān)表面缺陷的鈍化。...
2024-02-01在封裝工藝過程中,引線框架容易被氧化,在表面形成包含氧化銅和氧化亞銅的氧化層,其結(jié)構(gòu)較為疏松,這將不利于引線框架與塑封體的結(jié)合,在行業(yè)內(nèi)通常采用等離子清洗的方式去除引線框架表面的氧化層。...
2024-01-22