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高密度陶瓷外殼電鍍漲金等離子清洗解決方案

文章出處:等離子清洗機廠家 | 深圳納恩科技有限公司| 發(fā)表時間:2023-07-20
高密度陶瓷封裝外殼是一種應用于集成化、小型化要求的封裝形式,具備較多的輸入和輸出端口,端口間距窄,為生產(chǎn)制造帶來諸多難點]。圖1是幾種常見的高密度陶瓷封裝外殼。這類外殼在裝配釬焊過程中不可避免地存在異質(zhì)沾污,電鍍鎳金時容易在鍵合間形成金層,嚴重時可能導致鍵合間連通,外殼失效,這就是所謂的漲金問題。該問題的解決是陶瓷封裝外殼鍍覆行業(yè)中最關鍵的一項技術,然而目前幾乎沒有這方面的研究報道。
圖 1 幾種常見高密度陶瓷封裝外殼
圖 1 幾種常見高密度陶瓷封裝外殼

 
本文針對某型號高密度陶瓷封裝外殼出現(xiàn)的漲金失效問題,采用掃描電鏡(SEM)、能譜儀(EDS)和X射線鍍層厚度測試儀對失效樣品進行分析,得出此類外殼漲金失效的原因。隨后針對這種失效模式,在不改變陶瓷組件和釬焊工藝的情況下,通過引入適合的等離子清洗工藝和優(yōu)化釬焊生產(chǎn)過程,令漲金比例大幅下降,并且不影響外殼絕緣電阻、引線抗疲勞等可靠性指標。

高密度陶瓷封裝外殼的主要制程

某型號高密度陶瓷封裝外殼的結(jié)構(gòu)如圖2所示,含240個引出端。該類外殼采用高溫共燒陶瓷(HTCC)工藝制成陶瓷組件。利用裝配治具,將外殼所需的金屬零件定位裝配后,通過高溫釬焊的方式將金屬引線與瓷件焊接成型,鍵合間距均為120μm。釬焊完成后,陶瓷外殼經(jīng)除油、酸洗、活化和去離子水清洗后依次電鍍鎳、金。電鍍鎳采用低應力氨基磺酸鎳體系鍍液,電鍍金采用日本田中貴金屬工業(yè)株式會社生產(chǎn)的鍍金液。根據(jù)GJB1420B–2011《半導體集成電路外殼通用規(guī)范》中3.7.4條的規(guī)定和用戶要求,控制鎳層厚度為1.27~8.90μm,表面金層厚度為1.27~5.70μm。
圖 2 某型號高密度陶瓷封裝外殼示意圖
圖 2 某型號高密度陶瓷封裝外殼示意圖

 
電鍍漲金問題分析

高密度陶瓷封裝外殼按照常規(guī)工藝電鍍后,產(chǎn)品的鍍層厚度和可靠性都滿足技術要求,但在采用NikonSMZ800N高倍顯微鏡觀察時發(fā)現(xiàn)存在較大比例的漲金失效問題,漲金位置在陶瓷鍵合指之間的陶瓷表面(見圖3)
圖 3 外殼的漲金位置
圖 3 外殼的漲金位置

 
逐一檢查陶瓷外殼制造各工序后的陶瓷外殼表面,發(fā)現(xiàn)在裝配釬焊后陶瓷表面已有一定程度的異質(zhì)沾污(見圖4)。
圖 4 釬焊后部分瓷件沾污的照片
圖 4 釬焊后部分瓷件沾污的照片

 
為驗證該類污染在鍍覆清洗后是否無法去除,并最終造成漲金失效,分別在釬焊后和電鍍后采用SMZ800N高倍顯微鏡對同一樣品的3個位置進行拍攝,結(jié)果見圖5。在位置1可看到,釬焊后瓷件表面附著一些沾污,這些沾污在電鍍后仍然存在。而在位置2和3可看到,當這些沾污與陶瓷金屬化鍵合指相連時,電鍍后即產(chǎn)生了漲金現(xiàn)象。這說明釬焊后的異質(zhì)污染是導致外殼漲金的根源,并且普通的電鍍前處理清洗工藝無法徹底去除這些沾污。
圖 5 釬焊后和電鍍后瓷件不同位置的沾污情況
圖 5 釬焊后和電鍍后瓷件不同位置的沾污情況

 
采用JEOLJSM-5900掃描電鏡(SEM)附帶的能譜儀(EDS)分析沾污處的成分,結(jié)果見圖6和表1。沾污區(qū)域的主要成分為C、O、Al、Si,其中Al和Si是陶瓷本身的成分,即沾污的主要元素組成為C或C和O。由表1可以看出,沾污程度較輕的區(qū)域(圖6中區(qū)域4、5和6)中C的質(zhì)量分數(shù)為2.92%~4.32%,這部分沾污應該采用常規(guī)清洗方法就可去除。但沾污嚴重區(qū)域(圖6中區(qū)域1、2和3)中C的質(zhì)量分數(shù)達24.66%~36.77%,采用常規(guī)清洗方法難以去除。
圖 6 采用能譜儀分析瓷件沾污部位的編號
圖 6 采用能譜儀分析瓷件沾污部位的編號
表 1 瓷件沾污區(qū)域的元素組成

 
綜上可知,高密度陶瓷封裝外殼的漲金問題與裝配和釬焊過程中引入的異質(zhì)沾污有密切關聯(lián),這些沾污可能是有機物或石墨污染,并且C含量越高,其去除難度越高。因此,解決外殼漲金問題的關鍵在于規(guī)避異質(zhì)污染物的引入和尋找可高效地將其去除的方法。

電鍍漲金問題等離子清洗解決方案和效果

鍍覆前對陶瓷件進行退火和等離子清洗
鍍覆前,先在200°C下對陶瓷件退火處理5~10min,以便將瓷件吸附或者裝架釬焊過程中帶來的污染物氧化,令污染物在后續(xù)的化學清洗過程中更容易被去除。

在退火后,增加O2和Ar氣氛的等離子清洗,等離子清洗是一種干法物理化學清洗技術,它是利用低真空狀態(tài)下高頻電場的作用,產(chǎn)生輝光放電,將工藝氣體電離成離子流,轟擊工件表面,達到清洗的目的。利用O2的氧化性同時對污染物進行物理轟擊和進一步的化學氧化,繼而利用Ar的大原子結(jié)構(gòu)特性對污染物及生成的氧化物進行物理轟擊,使得陶瓷件表面更加潔凈并且提高陶瓷基底的親水性能。進行等離子清洗后再電鍍,鍍層與基體的結(jié)合更良好。
 
改進效果
取10個高密度陶瓷封裝外殼,采用改進的工藝路徑進行裝配釬焊和電鍍。從圖7可知,金屬化鍵合指之間的輕微石墨污染得以有效去除,焊接區(qū)域附近的異質(zhì)污染不再出現(xiàn),電鍍后無漲金失效問題。
 圖 7 采用等離子清洗改善方案的電鍍前(a)、后(b)瓷件的照片
圖 7 采用等離子清洗改善方案的電鍍前(a)、后(b)瓷件的照片
 
高密度陶瓷封裝外殼作為封裝小型化、集成化的重要載體,具備廣泛的應用前景。但由于其包含了上百個輸入和輸出端口,端口間距狹窄,在設計及工藝操作方面的難度都很大。本文針對某型號240端口高密度封裝外殼,對其制造過程中存在的鍵合間異質(zhì)污染所造成的漲金失效問題進行了分析,并給出了等離子清洗解決方案,在不影響高密度陶瓷外殼可靠性的情況下,令漲金失效問題得以解決。

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