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等離子清洗技術(shù)與等離子刻蝕技術(shù)

文章出處:等離子清洗機(jī)廠家 | 深圳納恩科技有限公司| 發(fā)表時(shí)間:2023-08-25
氣體放電產(chǎn)生的低溫等離子體中除了擁有大量的正負(fù)粒子之外,還有受激發(fā)的原子等高能粒子,這些高能粒子可以促使物質(zhì)發(fā)生變化,進(jìn)行化學(xué)反應(yīng),改變物質(zhì)屬性,廣泛應(yīng)用于材料處理、醫(yī)療衛(wèi)生、半導(dǎo)休工業(yè)等領(lǐng)域。

在集成電路制造業(yè),低溫等離子體的運(yùn)用幾乎貫穿整個(gè)流程??涛g的步驟需要低溫等離子體的參加才能有效的去除光刻膠,即使在電路制造完成后,整板的清洗和封裝過程中也會(huì)使用到低溫等離子體,用于芯片封裝前的清洗。下面就簡(jiǎn)單介紹一下等離子清洗和等離子刻蝕技術(shù):


等離子刻蝕技術(shù)

等離子刻蝕技術(shù)
刻蝕技術(shù)即人為對(duì)物件外貌進(jìn)行特定圖案刻畫、覆蓋薄膜或區(qū)域性腐蝕的技術(shù),常用于刻畫微型電子物件等工藝流程,具體有干法及濕法兩種刻蝕形式。濕法刻蝕是利用液體化學(xué)試劑進(jìn)行刻蝕,通過改變?cè)噭┓N類、溶度和溫度調(diào)節(jié)刻蝕效果。濕法刻蝕作為傳統(tǒng)刻蝕方法,雖成本低,但操作繁瑣、控制難度大;干法刻蝕即等離子刻蝕,利用己制備好的等離子體去轟擊所需加工的材料表面,產(chǎn)生高活性的氣體進(jìn)行刻蝕。相比濕法刻蝕,干法刻蝕技術(shù)可控性高,可實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化刻蝕,且無(wú)污染,從而廣泛應(yīng)用于刻蝕單晶硅等半導(dǎo)體材料。其中,根據(jù)刻蝕原理的不同,干法刻蝕又可以分為以下三種不同刻蝕方法:

物理性刻蝕又稱作離子濺射刻蝕,是指利用氣體放電產(chǎn)生的等離子體中的離子去轟擊待刻蝕樣品,并使得樣品表面原子溢出。物理性刻蝕過程中,對(duì)任意的刻蝕物件均能夠?qū)崿F(xiàn)各向異性刻蝕,且成本低,但刻蝕厚度難以把控,如若離子自由行程過短,還易出現(xiàn)刻蝕物件再沉積的現(xiàn)象。

化學(xué)性刻蝕即為采用氣體放電產(chǎn)生的氣相原子(或分子)與待刻蝕物品進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)生成揮發(fā)物。相較物理性刻蝕,化學(xué)性刻蝕所需成本更高,各向同性,且刻蝕時(shí)間長(zhǎng)。

反應(yīng)離子刻蝕既利用了物理性刻蝕的離子轟擊,又利用了化學(xué)性刻蝕的化學(xué)反應(yīng),是兩者的綜合,不僅選擇性高、各向異性好,且刻蝕速率快。其中,最常見的刻蝕裝置為RIE。


等離子清洗技術(shù)

等離子清洗技術(shù)
等離子體中因存在大量的活性粒子(自由基、離子以及激發(fā)態(tài)原子),易與不同材料之間產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng),常用于工業(yè)清洗物件。同上述刻蝕方法一樣,清洗技術(shù)也包含濕法和干法兩種,利用等離子體去清洗物件屬于后者。其中,工程應(yīng)用時(shí)等離子體清洗過程如下:首先通過射頻源激勵(lì)使氣體放電形成等離子態(tài);隨后高能的帶電粒子團(tuán)開始接近清洗物件,與清洗物物件分子進(jìn)行反應(yīng);最后分子形成氣相,逐漸脫離清洗物件,實(shí)現(xiàn)預(yù)期的效果。相比傳統(tǒng)的濕法清洗技術(shù),等離子體清洗技術(shù)清洗效果更好、易控、無(wú)毒,是一種綠色環(huán)保的清洗方法。

其中,等離子體清洗方式分類的主要依據(jù)有:反應(yīng)類型、放電氣體種類。按照反應(yīng)類型不同,其又可以區(qū)別為化學(xué)反應(yīng)清洗和物理反應(yīng)清洗兩種。同刻蝕原理類似,前者是靠帶電粒子團(tuán)中的高能粒子與被清洗物表面產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng),后者是通過帶電粒子團(tuán)中的高能粒子去撞擊待清洗物表面。為實(shí)現(xiàn)最佳的清洗效果,工程應(yīng)用中,兩種清洗方式往往會(huì)被綜合利用。從放電所用的氣體種類上看,可分為惰性氣體和反應(yīng)性氣體兩種,前者產(chǎn)生的等離子體常用于物理反應(yīng)清洗,后者產(chǎn)生的等離子體常用于化學(xué)反應(yīng)清洗。

其中,等離子體清洗方式分類的主要依據(jù)有:反應(yīng)類型、放電氣體種類。按照反應(yīng)類型不同,其又可以區(qū)別為化學(xué)反應(yīng)清洗和物理反應(yīng)清洗兩種。同刻蝕原理類似,前者是靠帶電粒子團(tuán)中的高能粒子與被清洗物表面產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng),后者是通過帶電粒子團(tuán)中的高能粒子去撞擊待清洗物表面。為實(shí)現(xiàn)最佳的清洗效果,工程應(yīng)用中,兩種清洗方式往往會(huì)被綜合利用。從放電所用的氣體種類上看,可分為惰性氣體和反應(yīng)性氣體兩種,前者產(chǎn)生的等離子體常用于物理反應(yīng)清洗,后者產(chǎn)生的等離子體常用于化學(xué)反應(yīng)清洗。

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